蒸發沉積鍍膜和濺射沉積鍍膜，具體則包括很多種類，包括真空離子蒸發，磁控濺射，MBE分子束外延，溶膠凝膠法等等。
一、對于蒸發鍍膜：
一般是加熱靶材使表面組分以原子團或離子形式被蒸發出來。
厚度均勻性主要取決于：
1。基片材料與靶材的晶格匹配程度
2、基片表面溫度
3. 蒸發功率，速率
4. 真空度
5. 鍍膜時間，厚度大小。
組分均勻性：
蒸發鍍膜組分均勻性不是很容易保證，具體可以調控的因素同上，但是由于原理所限，對于非單一組分鍍膜，蒸發鍍膜的組分均勻性不好。
晶向均勻性：
1。晶格匹配度
2。基片溫度
3。蒸發速率
濺射鍍膜又分為很多種，總體看，與蒸發鍍膜的不同點在于濺射速率將成為主要參數之一。
濺射鍍膜中的激光濺射鍍膜pld，組分均勻性容易保持，而原子尺度的厚度均勻性相對較差（因為是脈沖濺射），晶向（外沿）生長的控制也比較一般。
