【專利摘要】一種真空鍍膜方法，包括以下步驟：提供一帶狀基材，該帶狀基材經(jīng)過螺旋盤繞之后圍成一圓筒狀結構，該待鍍膜表面即為該圓筒狀結構的外表面；將所述圓筒狀結構置于真空鍍膜機中，該真空鍍膜機內設置有待鍍膜材料，使用該待鍍膜材料對所述待鍍膜表面進行次鍍膜，形成一薄膜層；以及將所述圓筒狀結構倒置，對所述待鍍膜表面進行第二次鍍膜，從而在薄膜層的表面形成一第二薄膜層，兩次鍍膜后形成的鍍膜材料層整體厚度均勻。
【專利說明】真空鍍膜方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及一種真空鍍膜方法。尤其涉及一種能夠實現(xiàn)均勻的在長度較大、寬度較小的帶狀基材上鍍膜，及均勻的在長度較大、直徑較小的管狀結構內壁上鍍膜的方法。
【背景技術】
[0002]涂硼稻草管中子探測器，需要在其管狀內壁上涂硼或碳化硼等薄膜，使其能夠探測中子。如何在長度較大、直徑較小的管狀內壁上大面積均勻鍍膜是實現(xiàn)涂硼稻草管中子探測器的關鍵技術。真空鍍膜方法為現(xiàn)有技術中常用的一種鍍膜方法。真空鍍膜法鍍膜速度較快，而且可以使得到的薄膜厚度較小，適合應用于對薄膜的厚度具有較高要求的領域。
[0003]但是，現(xiàn)有的真空鍍膜方法，基于現(xiàn)有的真空鍍膜設備，常常由于被鍍材料源與被鍍基材不同位置的遠近或者重力作用等原因，造成所鍍薄膜的厚度不均勻。因此，很難在一曲面上實現(xiàn)大面積均勻鍍膜；很難在長度較大、寬度較小的帶狀基材表面實現(xiàn)均勻鍍膜；很難在長度較大、直徑較小的管狀結構內壁上實現(xiàn)均勻鍍膜。從而限制了真空鍍膜技術的應用。
【發(fā)明內容】
[0004]有鑒于此，確有必要提供一種可以實現(xiàn)大面積均勻鍍膜，及在長度較大、寬度較小的帶狀基材表面均勻鍍膜的真空鍍膜方法。進而實現(xiàn)在長度較大、直徑較小的管狀內壁上均勻鍍膜。
[0005]一種真空鍍膜方法，包括以下步驟:提供一帶狀基材，該帶狀基材經(jīng)過螺旋盤繞之后圍成一圓筒狀結構，該待鍍膜表面即為該圓筒狀結構的外表面；將所述圓筒狀結構置于真空鍍膜機中，該真空鍍膜機內設置有待鍍膜材料，使用該待鍍膜材料對所述待鍍膜表面進行次鍍膜，形成一薄`膜層；以及將所述圓筒狀結構倒置，對所述待鍍膜表面進行第二次鍍膜，從而在薄膜層的表面形成一第二薄膜層，兩次鍍膜后形成的鍍膜材料層整體厚度均勻。
[0006]一種真空鍍膜方法，包括以下步驟:提供一基材，該基材具有一待鍍膜表面，使待鍍膜表面形成一曲面，該曲面為一圓筒狀結構的至少部分外表面；將所述基材置于真空鍍膜機中，該真空鍍膜機內設置有待鍍膜材料，使用該待鍍膜材料對基材的待鍍膜表面進行次鍍膜，形成一薄膜層；以及將所述基材倒置，對該基材的待鍍膜表面進行第二次鍍膜，從而在薄膜層的表面形成一第二薄膜層。
[0007]本發(fā)明所提供的真空鍍膜方法，通過將一基材圍成一圓筒狀結構，該圓筒狀結構的外表面為待鍍膜表面，通過對該待鍍膜旋轉前后的兩次鍍膜，將鍍膜材料在真空腔中蒸鍍到基材上，可以消除被鍍膜材料源到待鍍膜表面距離或者重力等原因對薄膜厚度的影響，可在基材表面實現(xiàn)大面積均勻鍍膜；另外，本發(fā)明通過將一帶狀基材螺旋盤繞成一圓筒狀結構，可以在長度較大、寬度較小的帶狀基材表面實現(xiàn)均勻鍍膜；通過將鍍制完成后的帶狀基材展開，并將所述帶狀基材卷制成管狀結構，卷制成管狀結構過程中被鍍膜表面設定為所述管狀結構的內壁面，可以長度較大、直徑較小的管狀結構內壁上實現(xiàn)均勻鍍膜。本發(fā)明還具有的涂膜效率高、生產設備簡單等優(yōu)點。
【附圖說明】
[0008]圖1為本發(fā)明實施例提供的真空鍍膜方法的流程圖。
[0009]圖2為本發(fā)明實施例提供的真空鍍膜方法所采用的真空鍍膜機的結構示意圖。
[0010]圖3為本發(fā)明實施例提供的帶狀基材固定于支撐體表面后的結構示意圖。
[0011]主要元件符號說明
【權利要求】
1.一種真空鍍膜方法，包括以下步驟: S1:提供一帶狀基材，該帶狀基材經(jīng)過螺旋盤繞之后圍成一圓筒狀結構，待鍍膜表面即為該圓筒狀結構的外表面； S2:將所述圓筒狀結構置于真空鍍膜機中，該真空鍍膜機內設置有待鍍膜材料，使用該待鍍膜材料對所述待鍍膜表面進行次鍍膜，形成一薄膜層；以及； S3:將所述圓筒狀結構倒置，對所述待鍍膜表面進行第二次鍍膜，從而在薄膜層的表面形成一第二薄膜層，兩次鍍膜后形成的鍍膜材料層整體厚度均勻。
2.如權利要求1所述的真空鍍膜方法，其特征在于，可進一步包括步驟S4:將步驟S3得到的已鍍膜的帶狀基材展開后重新卷制成一管狀結構，卷制過程中被鍍膜表面設定為管狀結構的內壁面。
3.如權利要求1所述的真空鍍膜方法，其特征在于，所述步驟SI中進一步包括提供一支撐體，所述支撐體為圓筒或圓柱體，所述帶狀基材螺旋盤繞設置于該支撐體的外表面。
4.如權利要求3所述的真空鍍膜方法，其特征在于，所述支撐體外表面設置有螺旋型凹槽，該螺旋型凹槽的寬度與所述帶狀基材的寬度相互吻合，將所述帶狀基材沿所述螺旋型凹槽纏繞于所述支撐體的外表面，帶狀基材位于凹槽內。
5.如權利要求1所述的真空鍍膜方法，其特征在于，所述步驟S2包括以下步驟: 將所述圓筒狀結構固定于真空鍍膜機的真空腔內的一旋轉裝置上； 將待鍍膜材料設置于真空腔內，并與所述圓筒狀結構和旋轉裝置間隔設置； 對真空腔進行抽真空，使真空`腔內保持一定的真空度； 使所述圓筒狀結構圍繞其中心軸勻速旋轉，利用電子束轟擊待鍍膜材料，使待鍍膜材料蒸發(fā)后沉積在所述待鍍膜表面，形成薄膜層。
6.如權利要求5所述的真空鍍膜方法，其特征在于，所述圓筒狀結構旋轉的過程中，待鍍膜材料與所述圓筒狀結構中心軸的距離保持不變。
7.如權利要求1所述的真空鍍膜方法，其特征在于，在步驟S3中，所述圓筒狀結構倒置后的中心軸的位置不變，所述對帶狀基材的待鍍膜表面進行第二次鍍膜的具體步驟與對該待鍍膜表面進行次鍍膜的具體步驟相同。
8.一種真空鍍膜方法，包括以下步驟: 提供一基材，該基材具有一待鍍膜表面，使待鍍膜表面形成一曲面，該曲面為一圓筒狀結構的至少部分外表面； 將所述基材置于真空鍍膜機中，該真空鍍膜機內設置有待鍍膜材料，使用該待鍍膜材料對基材的待鍍膜表面進行次鍍膜，形成一薄膜層；以及 將所述基材倒置，對該基材的待鍍膜表面進行第二次鍍膜，從而在薄膜層的表面形成一第二薄膜層。
9.如權利要求8所述的真空鍍膜方法，其特征在于，所述基材為圓柱或圓筒狀結構。
10.如權利要求8所述的真空鍍膜方法，其特征在于，所述基材為一二維的層狀結構，所述二維的層狀結構圍成一曲面，該曲面為一圓筒狀結構的至少部分外表面。
