真空鍍膜設備真空鍍膜機表面形貌分析
是采用磁控濺射，多弧離子鍍和APSCD混合鍍膜原子力顯微鏡的表面形貌圖。圖中可以明顯看出：由于磁控濺射產生的顆粒直徑本身較多弧離子鍍小，所以表面更為平整，致密。而采用混合鍍法，因為磁控濺射產生的小顆粒和多弧離子鍍產生的大顆粒進行了混凝土式的混合，填補了大顆粒之間的空隙，得到的膜層較單獨多弧離子鍍更加平整致密。
三種工藝的表面形貌
膜厚的分析
實驗中采用臺階儀對薄膜的厚度進行了測量，測量結果如下表3 所示。
表3 不同樣品的薄膜厚度
在相同的時間內，磁控濺射僅為658 nm，APSCD 混合鍍膜層厚度達到1345 nm，沉積速率提高了1 倍。磁控濺射采用了中頻雙靶結構，這已經較大的提高了磁控濺射沉積速率。在實際生產中，采用混合鍍方式的膜層厚度更容易達到微米級，更適合用來進行工業(yè)生產。
耐腐蝕性能的分析
實驗測定了腐蝕電位及腐蝕電流密度，采用電化學極化曲線對薄膜的耐腐蝕性能進行了評估。1#、2#、3# 試樣和4#(基體)的極化曲線如圖9 所示。基體的腐蝕電位是- 855 mV，1#、2#、3#號試樣的腐蝕電位分別是- 776 mV、- 783 mV、- 751 mV。其中APSCD 混合鍍膜試樣腐蝕電位比基體的腐蝕電位提高了104 mV，耐腐蝕性能最好。
結論
通過1 年的實驗，設計的新型輝光弧光協(xié)同共放電鍍膜機能夠滿足快速鍍制耐磨耐蝕膜層的工業(yè)要求，靶材利用率高，系統(tǒng)協(xié)同放電穩(wěn)定，該機能同時滿足多弧和磁控鍍膜的要求，提高了設備與薄膜制備的檔次，并使所能鍍制的薄膜范圍大大增加。
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