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真空鍍膜機濺鍍的原理

作者:溫州馳誠機械設備有限公司  來源:http://www.tedazn.com/  更新時間:2017-6-27  點擊次數:
以幾十電子伏特或更高動能的荷電粒子炮擊資料外表,使其濺射出進入氣相,可用來刻蝕和鍍膜。入射一個離子所濺射出的原子個數稱為濺射產額(Yield)產額越高濺射速度越快,以Cu,Au,Ag等最高,Ti,Mo,Ta,W等最低。一般在0.1-10原子/離子。離子能夠直流輝光放電(glow discharge)發生,在10-1—10 Pa真空度,在兩極間加高壓發生放電,正離子會炮擊負電之靶材而濺射也靶材,而鍍至被鍍物上。
正常輝光放電(glow discharge)的電流密度與陰極物質與形狀、氣體品種壓力等有關。濺鍍時應盡也許保持其安穩。任何資料皆可濺射鍍膜,即便高熔點資料也簡單濺鍍,但對非導體靶材須以射頻(RF)或脈沖(pulse)濺射;且因導電性較差,濺鍍功率及速度較低。金屬濺鍍功率可達10W/cm2,非金屬<5W/cm2
二極濺鍍射:靶材為陰極,被鍍工件及工件架為陽極,氣體(氬氣Ar)壓力約幾Pa或更高方可得較高鍍率。
磁控濺射:在陰極靶外表構成一正交電磁場,在此區電子密度高,進而進步離子密度,使得濺鍍率進步(一個數量級),濺射速度可達0.1—1 um/min膜層附著力較蒸鍍佳,是現在最有用的鍍膜技能之一。
真空鍍膜機
關鍵詞:真空鍍膜機
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