真空鍍膜設備實驗分析與討論
1）蒸發過程中的真空條件
真空容器內蒸汽分子的平均自由程大于蒸發源與基片的距離 （稱蒸距）時， 就會獲得充分的真空條件。為此， 增加殘余氣體的平均自由程， 借以減少蒸汽分子與殘余氣體分子的碰撞幾率， 把真空室內抽成高真空是非常必要的。
2）蒸發源選取原則
①有良好的熱穩定性，化學性質不活潑，達到蒸發溫度時加熱器本身的蒸汽壓要足夠底。
②蒸發源的熔點要高于被蒸發物的蒸發溫度。加熱器要有足夠大的熱容量。
③蒸發物質和蒸發源材料的互熔性必須很底，不易形成合金。
④要求線圈狀蒸發源所用材料能與蒸發材料有良好的浸潤，有較大的表面張力。
⑤對于不易制成絲狀、或蒸發材料與絲狀蒸發源的表面張力較小時，可采用舟狀蒸發源。
3）熱蒸發鍍膜主要物理過程
①采用各種形式的熱能轉換方式，使鍍膜材料蒸發或升華，成為具有一定能量（0.1~0.3eV）的氣態粒子（原子、分子或原子團）；
②氣態粒子通過基本上無碰撞的直線運動方式傳輸到基片；
③粒子沉積在基片表面上并凝聚成薄膜。
4）影響真空鍍膜質量和厚度的因素:
影響真空鍍膜質量和厚度的因素有很多，主要有真空度、蒸發源的形狀、基片的位置、蒸發源的溫度等。固體物質在常溫和常壓下，蒸發量極低。真空度越高，蒸發源材料的分子越易于離開材料表面向四周散射。真空室內的分子越少，蒸發分子與氣體分子碰撞的概率就越小，從而能無阻擋地直線達到基片的表面。
實驗總結
本實驗是有關真空鍍膜技術的基礎性實驗，屬于技術性實驗，通過這個實驗讓我進一步熟悉真空獲得和測量，學會使用蒸發鍍膜技術，了解蒸發鍍膜的原理及方法和了解真空鍍膜技術。同時培養了我嚴謹的作風，提供了極好的學習與實踐機會。
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